图案化厚膜多孔硅制备与表征

• 作者: 杨文静 江梅 郁卫飞 黄辉 黎学明
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 地球科学
• 关键词: 图案化多孔硅 纳米结构材料 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 586-589
• 页数: 4页
• 分类号: X830.1
• 字数: 2783字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.04.018

摘要

图案化多孔硅是微电子、微机械、光电子器件的重要组成部分.实验以含Si3N4保护层的光刻单晶硅片为基底,采用电化学阳极氧化法制备图案化厚膜多孔硅,分析阳极氧化前后Si3N4保护层表面形貌变化特征和光刻尺寸对图案化多孔硅宽度、膜层厚度的影响规律,表征图案化多孔硅的结构、组成与发光性能.结果表明,氧化前Si3N4保护层局部区域出现枝晶,阳极氧化后形成不均匀孔状结构;制备的图案化多孔硅膜厚62～83μm,其横向扩展程度和膜层厚度均随光刻尺寸增大呈减小趋势;图案化多孔硅微结构含大量不规则裂纹和硅柱,新鲜制备的表面含Si-Hx键,其光致发光峰值波长650nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨文静	重庆大学化学化工学院	27	135	6.0	10.0
2	黄辉	中国工程物理研究院化工材料研究所	100	1362	21.0	32.0
3	黎学明	重庆大学化学化工学院	99	889	17.0	25.0
4	郁卫飞	中国工程物理研究院化工材料研究所	45	435	15.0	18.0
5	江梅	重庆大学化学化工学院	2	33	2.0	2.0