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纳米Si/SiNx薄膜的制备及对Nd:YAG激光器的被动调Q
纳米Si/SiNx薄膜的制备及对Nd:YAG激光器的被动调Q
作者:
吕蓬
李立卫
王加贤
申继伟
郭亨群
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
激光技术
射频磁控反应溅射
纳米硅镶嵌氮化硅薄膜
Nd∶YAG激光器
被动调Q
摘要:
为了研究纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料的被动调Q特性,采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜,用该样品作为可饱和吸收体,在凹-平腔中实现了氙灯抽运Nd: YAG激光器的被动调Q运转,在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽最小可达19ns的调Q单脉冲输出.并且研究了该薄膜结构特性、激光器参数,如抽运电压、腔长对调Q脉冲输出性能产生的影响.在此基础上,对实验现象产生的原因做了分析讨论.结果表明,纳米硅镶嵌氮化硅薄膜有一定的调Q效果,具有潜在的研究及应用价值.
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被动调Q
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输出特性
纳米Ge-SiO2薄膜对1342nm激光的被动调Q
激光技术
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纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜
被动调Q
可饱和吸收体
内容分析
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相关学者/机构
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期刊文献
内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
纳米Si/SiNx薄膜的制备及对Nd:YAG激光器的被动调Q
来源期刊
激光技术
学科
工学
关键词
激光技术
射频磁控反应溅射
纳米硅镶嵌氮化硅薄膜
Nd∶YAG激光器
被动调Q
年,卷(期)
2008,(2)
所属期刊栏目
激光材料和光学元件
研究方向
页码范围
163-165,170
页数
4页
分类号
TN248.1|O484.4+1
字数
2754字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王加贤
华侨大学信息科学与工程学院
81
268
9.0
12.0
2
郭亨群
华侨大学信息科学与工程学院
40
180
8.0
11.0
3
申继伟
华侨大学信息科学与工程学院
5
23
4.0
4.0
4
吕蓬
华侨大学信息科学与工程学院
7
29
4.0
5.0
5
李立卫
华侨大学信息科学与工程学院
7
32
4.0
5.0
传播情况
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射频磁控反应溅射
纳米硅镶嵌氮化硅薄膜
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
激光技术
主办单位:
西南技术物理研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-3806
CN:
51-1125/TN
开本:
大16开
出版地:
四川省成都市238信箱
邮发代号:
62-74
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
4090
总下载数(次)
10
总被引数(次)
25972
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
期刊文献
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