反应烧结制备SiC陶瓷的研究进展

• 作者: 杨霞 郝斌 陈立君
• 来源期刊: 陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 反应烧结 碳化硅 陶瓷 烧结机理
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 13-17
• 页数: 5页
• 分类号: TQ17
• 字数: 5706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2872.2008.09.003

摘要

介绍了传统烧结、Hucke工艺和反应烧结碳化硅陶瓷材料的制备工艺,总结了3种烧结机理,讨论了成形工艺、氧化、素坯密度、真空热处理温度等几种因素对反应烧结碳化硅陶瓷组织和力学性能的影响,最后对反应烧结碳化硅存在的问题和今后的发展方向进行了总结和展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨霞	北京科技大学材料科学与工程学院	26	331	10.0	17.0
2	郝斌	唐山学院环境与化学工程系	54	224	9.0	12.0
6	陈立君	唐山学院环境与化学工程系	1	22	1.0	1.0