逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响

• 作者: 张志国 李若凡 杨瑞霞 武一宾 马永强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 Poisson-Schr(o)dinger方程 逆压电极化效应 2DEG浓度
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 56-58,72
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054|TN325.3
• 字数: 2219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.014

摘要

从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发,通过自洽求解一维Poisson-Schr(o)dinger方程,研究了逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结中2DEG浓度的影响.计算结果显示,逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20 nm时,不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013 cm-2;当等效外加电压分别为10和15 V时,2DEG浓度降低至1.04×1013cm-2和0.789×1013cm-2,可见当等效外电压由0～15 V变化时,2DEG浓度下降了48.4%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞		180	759	13.0	18.0
2	马永强		22	264	6.0	16.0
5	武一宾	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	39	4.0	4.0
6	张志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	48	5.0	5.0
7	李若凡		3	11	2.0	3.0