亚微米BiCMOS电路纵向NPN管的ESD保护研究

• 作者: 张炜 李冰 王德进 聂卫东
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: ESD保护 纵向NPN 亚微米BiCMOS
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TN433
• 字数: 2860字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.08.010

摘要

文章以0.6 μm N外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究.实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD保护能力强.此外,还研究了兼容低压Vz工艺,单级保护NMOS输出管的纵向NPN器件的ESD行为,流片显示采用EB结齐纳击穿的纵向NPN能有效单级保护CMOS的输出级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	聂卫东	江南大学信息学院	5	13	2.0	3.0
5	张炜		1	0	0.0	0.0