一种采用新颖的双重自适应补偿的低静态电流LDO稳压器的设计

• 作者: 叶强 李演明 来新泉 袁冰 陈富吉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低漏失 稳定性 双重自适应补偿 低功耗
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2057-2063
• 页数: 7页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.039

摘要

设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗.采用该双重自适应补偿的LDO已在Hynix O.5μm CMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好.