纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性

• 作者: 温殿忠 赵晓锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米多晶硅薄膜 MEMS技术 压力传感器 温度系数
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2038-2042
• 页数: 5页
• 分类号: TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.036

摘要

给出一种纳米多品硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构,实现对外加压力的检测.实验结果表明.当硅膜厚度75μm时,纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供电时,满量程(160kPa)输出为24.235mV,灵敏度为0.151mV/kPa,精度为0.59%F.S,零点温度系数和灵敏度温度系数分别为-0.124%/℃和-0.108%/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温殿忠	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室集成电路重点实验室	51	330	10.0	15.0
2	赵晓锋	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室集成电路重点实验室	27	123	8.0	10.0