纳米有机硅杂化聚酰亚胺薄膜的结构及电性能研究

• 作者: 刘晓玉 李娟 范勇 陈慧丹 陈昊
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 纳米有机硅 电性能
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TM215.3|TQ323.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2008.05.010

摘要

调整二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,通过溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅杂化聚酰亚胺(PI)薄膜.用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌,对电气强度,耐电晕性进行了实验研究.结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的电气强度先保持平稳后下降,大约在二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为1:3时出现极大值,二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为1:1时杂化薄膜的平均耐电晕寿命为纯聚酰亚胺薄膜平均耐电晕时间的8.57倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范勇	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	70	539	13.0	18.0
2	陈昊	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	32	202	8.0	12.0
3	李娟	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	15	114	7.0	10.0
4	刘晓玉	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	2	10	2.0	2.0
5	陈慧丹	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	2	10	2.0	2.0