InGaN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究

• 作者: DONG Shao-guang 范广涵
• 来源期刊: 山东大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 IncaN 辐照损伤 光致发光 Fermi能级
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 102-106
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3067字
• 语种: 中文

摘要

研究表明,In1-xGax N合金材料的能隙能连续地从0.7eV改变到3.4eV,使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系.研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子(2Mev)照射比当前常用的太阳能光伏材料如CaAs和GaInP有更高的电阻,因此,给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力.实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征,该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释.该缺陷能用In1-x,GaxN合金的Fermi能级的稳态能描述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	DONG Shao-guang	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	1	1.0	1.0