高迁移率IWO透明导电氧化物薄膜制备及其退火处理研究

• 作者: 张群 李喜峰 李桂锋 王颖华
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: IWO 高迁移率 退火处理 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 95-98
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3348字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射法在清洁玻璃基片上制备了掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜.研究了氧分压及其退火处理对IWO薄膜光电性能的影响.实验发现薄膜的光电性能对氧分压非常敏感,退火郸理有助于改善IWO薄膜的电阻率.获得了最小电阻率为2.2×10-4Ω·cm,载流子迁移率为63.5 cm2/V·s,可见光范围平均透射率(含基片)为83.2%的IWO薄膜样品.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
2	李桂锋	复旦大学材料科学系	7	25	3.0	4.0
3	王颖华	复旦大学材料科学系	4	16	2.0	4.0
4	李喜峰	复旦大学材料科学系	6	45	3.0	6.0