激光能量对Si等离子体电子温度的影响

• 作者: 刘丽炜 张凤东 张喜和 谭勇 陈长波
• 来源期刊: 长春理工大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光等离子体 电子温度 光谱
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 65-67
• 页数: 3页
• 分类号: O53
• 字数: 1241字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9870.2008.04.020

摘要

建立一套激光等离子体光谱测量实验装置,以Nd:YAG调Q倍频固体激光器为激发光源,硅作为样品.通过改变激光输出能量,获得Si样品的等离子体谱图,对Si的等离子体谱图进行分析,根据玻尔兹曼分布,计算出Si的等离子体电子温度,并分析Si的等离子体电子温度随激光能量改变的变化趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭勇	长春理工大学理学院	51	136	8.0	8.0
2	张喜和	长春理工大学理学院	88	397	10.0	13.0
3	张凤东	长春理工大学理学院	12	43	4.0	6.0
4	刘丽炜	长春理工大学理学院	24	75	5.0	6.0
5	陈长波	长春理工大学理学院	5	9	2.0	3.0