航天器介质深层充电模拟研究

• 作者: 王骥 秦晓刚 邱家稳 马亚莉
• 来源期刊: 空间科学学报
• 学科: 航空航天
• 关键词: 介质 深层充电 Geant4 充电动力学 RIC
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 242-247
• 页数: 6页
• 分类号: V4
• 字数: 3039字
• 语种: 中文

摘要

针对航天器介质深层充电问题,提出了一种基于蒙特卡罗模拟和充电动力学RIC模型的介质电荷分布及电场预估新方法,利用地面试验验证了其正确性.航天器介质平板充电过程被简化为屏蔽铝板与分层介质组成的Geant 4模型,通过统计方法计算出了实际入射束流下Teflon介质内的注入电流密度和剂量率分布曲线,利用RIC模型获得了背面接地时介质中的电荷密度和电场分布,利用脉冲电声法(PEA)对不同束流密度辐照下的Teflon内部空间电荷密度进行了测量.数值模拟和地面试验结果表明,Teflon在100 keV能量电子辐照下,电荷密度和电场随着束流密度的增加而不断增大,其电荷密度峰值位置约为0.042 mm,且背面接地时接地侧电场最大.由于Geant 4粒子输运模拟和RIC模型具有通用性,因此该方法适用于各种航天器介质材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王骥	中国空间技术研究院兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室	1	10	1.0	1.0
2	邱家稳	中国空间技术研究院兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室	9	101	6.0	9.0
3	秦晓刚	中国空间技术研究院兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室	4	12	2.0	3.0
4	马亚莉	中国空间技术研究院兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室	1	10	1.0	1.0