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摘要:
概述了GaAs光导开关的发展历史,通过对GaAs和SiC进行比较指出,SiC由于禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优势被认为是更好的光导开关材料.比较了本征光电导和非本征光电导的不同之处,报道了利用本征光电导和非本征光电导的SiC光导开关的最新进展.介绍了光导开关在超宽带源和紧凑型脉冲功率系统中的应用,提出了SiC光导开关进一步发展的关键技术并进行了展望.
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文献信息
篇名 光导开关研究进展及其在脉冲功率技术中的应用
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 光导开关 砷化镓 碳化硅 脉冲功率 超宽带源 紧凑型脉冲功率系统
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 脉冲功率技术
研究方向 页码范围 171-176
页数 6页 分类号 TM836
字数 3662字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 袁建强 清华大学电机系 20 162 7.0 12.0
3 谢卫平 中国工程物理研究院流体物理研究所 68 501 14.0 19.0
4 王新新 清华大学电机系 85 1495 19.0 36.0
5 陈林 中国工程物理研究院流体物理研究所 55 229 8.0 13.0
8 周良骥 中国工程物理研究院流体物理研究所 16 143 7.0 11.0
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期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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9833
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7
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61664
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