Sm:GdVO4晶体的生长及光谱性能研究

• 作者: 何明珠 何晓明 张连翰 杭寅 陈光珠
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Sm:GdVO4晶体 光谱性能 J-O理论
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 514-518
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2657字
• 语种: 中文

摘要

应用中频感应提拉法生长出掺杂浓度为2%原子分数的Sm:GdVO4晶体,研究了室温下c轴方向sm:GdVO4晶体的吸收和荧光光谱.通过J-O理论计算出强度参数(Ωt),同时计算了对应于4G5/2能级的自发跃迁几率、荧光分支比和辐射寿命.通过荧光光谱计算了对应于566、604和646nm三个发射峰对应的发射截面,结果表明,Sm:GdVO4在604 nm的发射截面最大,是掺Sm:YAP在607 nm处发射截面的4.4倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杭寅	中国科学院上海光学机密机械研究所	44	386	10.0	17.0
2	何晓明	中国科学院上海光学机密机械研究所	19	100	7.0	9.0
3	张连翰	中国科学院上海光学机密机械研究所	24	134	7.0	10.0
4	何明珠	中国科学院上海光学机密机械研究所	14	137	6.0	11.0
5	陈光珠	中国科学院上海光学机密机械研究所	2	16	2.0	2.0