基于SWB环境下的nm级NMOS虚拟优化

• 作者: 于英霞 刘岩 吴胜龙 张宪敏 李惠军 赵守磊
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米层次 可制造性设计 虚拟工厂 工艺优化 集成电路
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 140-144
• 页数: 5页
• 分类号: TN402|TN386.1
• 字数: 2896字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.03.004

摘要

介绍了Synopsys Inc.推出的新一代(第五代)nm级TCAD仿真平台--Sentaurus Work-bench(SWB)的系统结构、基本功能及其优化功能,重点介绍了SWB的DOE及RSM优化机制.基于SWB环境实现了nm级NMOS集成化管芯的可制造性设计及优化.在对NMOS集成化管芯的设计过程中,围绕Vt进行了可制造性设计,利用DOE试验方法和RSM对Vt进行了优化,得到了阈值电压(Vt)和调阈值注入剂量(Vt_Dose)、能量(Vt_Energy)及抑制穿通注入剂量(PNCH_Dose)、能量(PNCH_Energy)之间的RSM响应表面关系.在此基础上,分析了Vt各影响因素与Vt之间的关系,从而指导了在Vt的设计过程中各个主要影响参数的选取.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李惠军	山东大学孟竞微电子研发中心	51	103	5.0	7.0
2	刘岩	山东大学孟竞微电子研发中心	12	73	3.0	8.0
3	于英霞	山东大学孟竞微电子研发中心	4	21	2.0	4.0
4	张宪敏	山东大学孟竞微电子研发中心	4	21	2.0	4.0
5	赵守磊	山东大学孟竞微电子研发中心	4	11	2.0	3.0
6	吴胜龙	山东大学孟竞微电子研发中心	2	0	0.0	0.0