ZnO上肖特基接触的研究进展

• 作者: 吴芳 孔春阳 张文婷 张淑芳 彭丽萍 方亮 董建新
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 肖特基接触 泄露电流 理想因子
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 综述评论
• 页码范围: 126-132
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 5741字
• 语种: 中文

摘要

由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触.本文回顾了近年来在n型ZnO上制备肖特基接触的研究进展,对n型ZnO上制备肖特基接触的Au、Pt、Pd、Ag等金属方案的性能与特点,以及影响接触性能等因素,如表面处理和退火等进行了分析与归纳.同时,对P型ZnO上难以获得肖特基接触的原因进行了讨论.另外,由于Au、Pt等金属普遍存在热稳定差的问题,会降低ZnO基大功率器件的寿命,寻找能与n型ZnO能形成高热稳定性、低泄露电流、高势垒高度的肖特基接触材料是未来ZnO上肖特基光电器件的发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方亮	重庆大学应用物理系	62	513	12.0	18.0
5	孔春阳	重庆师范大学物理与信息技术学院	28	226	7.0	14.0
6	吴芳	重庆大学应用物理系	64	862	17.0	26.0
7	彭丽萍	重庆大学应用物理系	9	57	5.0	7.0
8	董建新	重庆大学应用物理系	8	51	5.0	7.0
9	张淑芳	重庆大学应用物理系	8	31	4.0	5.0
10	张文婷	重庆大学应用物理系	6	38	4.0	6.0