基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究

• 作者: 杨恒 陆松涛 陆荣
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 亚微米梁 自停止腐蚀 电化学腐蚀 原电池
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 前沿技术
• 页码范围: 118-120
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 2203字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2008.12.039

摘要

提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法.根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀.在(111)型硅片上利用原电池钝化效应一次性腐蚀出与衬底绝缘,由约4 μm厚的金电极支撑,厚度约为235nm的亚微米梁结构,具有制作简单、成品率高、成本低等特点,应用前景广阔.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨恒	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室	19	46	4.0	6.0
2	陆荣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室	4	26	2.0	4.0
6	陆松涛		3	2	1.0	1.0