高压氧与脑缺血再灌注损伤中的氧化应激

• 作者: 王锷 邹望远 郭曲练 陈婵
• 来源期刊: 国际神经病学神经外科学杂志
• 关键词: 高压氧 脑缺血再灌注损伤 氧化应激
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 311-314
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

脑发生缺血性损伤后,尽早地恢复脑血流、脑氧供,是逆转某些脑可逆性功能损伤的关键,然而在缺血后的再灌注过程中可出现脑组织的进一步损伤,其中氧化应激被认为是引起脑缺血再灌注损伤的重要机制之一.高压氧(HBO)治疗脑缺血时,对其是否会引起氧化应激而加重脑缺血缺氧损伤目前的研究存在不同观点,产生这砦差异的可能相关因素有脑缺血损伤的类型、治疗时间窗、剂量(包括压力、时间)等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹望远	中南大学湘雅医院麻醉科	55	284	10.0	14.0
2	郭曲练	中南大学湘雅医院麻醉科	368	2456	21.0	34.0
3	王锷	中南大学湘雅医院麻醉科	84	478	11.0	17.0
4	陈婵	中南大学湘雅医院麻醉科	25	56	5.0	6.0