直流反应磁控溅射法制备VO2薄膜

• 作者: 方应翠 王君 王旭迪 陈庆连 陈长琦
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 反应磁控溅射 二氧化钒 薄膜 沉积条件
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 153-158
• 页数: 6页
• 分类号: O484.5
• 字数: 4922字
• 语种: 中文

摘要

VO2是一种相变材料.发生相变时,VO2的电阻、透过率、反射率都会发生显著的变化;反应磁控溅射法是制备VO2薄膜的一种比较理想的方法.文中,重点讨论氧氩气质量流量比m(O2)/m(Ar)、基片温度以及沉积后薄膜的退火处理对制备薄膜成分、结构和性能的影响.通过分析得出m(O2)/m(Ar)比在1:13和1:12间具有较高的VO2含量;基片温度在250℃时具有较佳的VO2结晶特性;450 ℃保持2 h的真空退火处理可以改变薄膜成分和结构,使高价的V2O5薄膜还原到四价的VO2,且明显减少薄膜的氧缺陷,提高氧原子的含量,减少空洞,增加晶粒尺寸提高膜的致密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈长琦	合肥工业大学机械与汽车工程学院真空技术与应用工程中心	119	1027	16.0	26.0
2	方应翠	合肥工业大学机械与汽车工程学院真空技术与应用工程中心	23	313	8.0	17.0
3	王旭迪	合肥工业大学机械与汽车工程学院真空技术与应用工程中心	40	192	9.0	12.0
4	王君	合肥工业大学机械与汽车工程学院真空技术与应用工程中心	32	131	7.0	9.0
5	陈庆连	合肥工业大学机械与汽车工程学院真空技术与应用工程中心	3	27	3.0	3.0