助熔剂法生长ZnO晶体

• 作者: 张帆 沈光球 沈德忠 王晓青
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 医学
• 关键词: 晶体生长 助熔剂法 氧化锌
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 551-556
• 页数: 6页
• 分类号: R078
• 字数: 585字
• 语种: 中文

摘要

采用Bi4B2O9、CdB2O4和BaB2O4为助熔剂,获得了毫米级的氧化锌单晶.Muiliken的电负性理论和Viting的平均轨道电负性提供了一个选择晶体生长所采用的助熔剂的有效方法.实验结果表明ZnO晶体的生长温度比文献报道的均低,从而有效地减少了ZnO以及助熔剂的挥发.本文给出了几种有望获得大尺寸ZnO单晶的助熔剂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张帆	清华大学化学系	40	295	8.0	16.0
2	沈光球	清华大学化学系	16	148	6.0	11.0
3	王晓青	清华大学化学系	22	150	7.0	11.0
4	沈德忠	清华大学化学系	18	98	6.0	8.0