Ge单晶抛光片清洗技术研究

• 作者: 刘春香 李响 杨洪星 赵权
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗 抛光片 清洗技术
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(晶圆生长及晶片制备技术)
• 页码范围: 308-310
• 页数: 3页
• 分类号: TN304|TN305.97
• 字数: 2694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.04.009

摘要

Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐照能力,在红外光学、航天领域具有极大的应用潜力.通过对Ge单晶抛光片清洗技术进行研究,有效提高了Ge抛光片的表面质量,降低了Ge抛光片的表面颗粒度,控制了Ge抛光片的氧化层深度.研制样品的指标,Ge抛光片表面的颗粒数不超过10个(颗粒直径大于0.3μm),氧化层深度不超过2 nm.目前,国内尚无Ge单晶抛光片"免清洗"的相关检验标准.将样品直接放入外延炉生长外延,得到了较好的外延结果,可以认为Ge抛光片达到了"免清洗"的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵权	中国电子科技集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
2	李响	中国电子科技集团公司第四十六研究所	20	72	4.0	8.0
3	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
4	刘春香	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	79	5.0	7.0