CVD法制备ZnO薄膜生长取向和表面形貌

• 作者: 傅竹西 徐小秋 施媛媛 田珂 钟声
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CVD ZnO薄膜 生长取向 生长机理
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 294-298
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|O766
• 字数: 2629字
• 语种: 中文

摘要

利用具有特定温度梯度的CVD设备,以锌粉和氧气为原料,在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.研究发现,锌粉中加入某些氯化物后可以改变ZnO薄膜的生长取向.用FESEM观察ZnO薄膜的表面形貌,发现Zn和氯化物的量比为1:1时,生长的ZnO薄膜表面晶粒呈菱形或三角形({101}面),当二者的量比为10:1时薄膜表面晶粒呈六棱台形({001}面).XRD分析结果证实,前者只观察到(101)和(202)衍射峰,而后者出现(002)衍射峰且其强度大于(101)衍射峰.改变衬底或温度后得到的结果相同.因此,作者认为氯化物改变薄膜生长取向的现象与衬底和生长温度无关,添加的氯化物起到降低ZnO{101}面表面能的作用,随着氯化物浓度的增加,薄膜从沿[001]方向生长逐渐转向沿[101]方向生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	钟声	中国科学技术大学物理系	20	117	6.0	9.0
3	施媛媛	中国科学技术大学物理系	17	136	6.0	11.0
4	田珂	中国科学技术大学物理系	2	16	2.0	2.0
5	徐小秋	中国科学技术大学物理系	3	20	2.0	3.0