Si3N4结合SiC材料在铝电解槽中的损毁机理研究

• 作者: 尹玉成 葛山
• 来源期刊: 轻金属
• 学科: 工学
• 关键词: Si3N4结合SiC制品 侵蚀 冰晶石
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 轻金属材料
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TQ163+.4
• 字数: 1510字
• 语种: 中文

摘要

采用自制的抗冰晶石侵蚀试验炉,模拟了Si3N4 结合SiC制品在电解铝槽中的工作情况,并借助SEM、X射线衍射仪及能谱仪(EPAX)研究了Si3N4结合SiC制品不同位置的损毁机理.结果表明:Si3N4 结合SiC制品在空气部分的损坏主要是由于Si3N4和SiC氧化导致的;而在冰晶石电解质与空气界面处,由于化学反应形成的氧化-侵蚀-渗透恶性循环使得侵蚀最为严重,电解质在金属铝液中的溶解和由于试样本身结构中的气孔可能是Si3N4结合SiC制品在金属铝液中发生侵蚀的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛山	武汉科技大学湖北省耐火材料与高温陶瓷重点实验室	18	125	7.0	11.0
2	尹玉成	武汉科技大学湖北省耐火材料与高温陶瓷重点实验室	24	95	5.0	9.0