考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型

• 作者: 刘新宇 吴德馨 王显泰 程伟 葛霁 金智 陈高鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 载流子速度 耗尽层宽度 集电区渡越时间 VBIC模型
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2270-2274
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.035

摘要

针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC模型中,改进的模型提高了GaAs基HBT多电压偏置下s参数的拟合精度,其在很宽的电压范围内均与实际测试结果符合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	葛霁	中国科学院微电子研究所	10	72	5.0	8.0
4	程伟	中国科学院微电子研究所	28	428	9.0	20.0
5	金智	中国科学院微电子研究所	30	92	5.0	8.0
6	王显泰	中国科学院微电子研究所	13	77	5.0	8.0
7	陈高鹏	中国科学院微电子研究所	5	24	3.0	4.0