多孔硅电学特性研究

• 作者: 刘博 宋阳 房振乾 胡明
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 多孔硅 双槽电化学腐蚀法 I-V特性 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 9-13,17
• 页数: 6页
• 分类号: O472|O478
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2008.02.003

摘要

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	房振乾	天津大学电子信息工程学院	11	150	6.0	11.0
3	刘博	天津大学电子信息工程学院	27	243	9.0	15.0
4	宋阳	天津大学电子信息工程学院	1	11	1.0	1.0