P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用

• 作者: 孙建 张晓丹 杨瑞霞 焦宝臣 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 P型 透明导电薄膜 太阳电池
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 602-605
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2246字
• 语种: 中文

摘要

利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在coming 7059衬底上生长出P型透明导电膜.该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上.X射线衍射的测试结果表明:P型透明导电膜具有c轴择优生长特性.通过霍耳测试得到P型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21 Ω·cm、迁移率是0.22 cm2/(V·s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3.此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47 V.