真空绝缘沿面闪络场强相关影响参数分析

• 作者: 王志华 高巍
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 真空 闪络场强 脱附
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 56-57,61
• 页数: 3页
• 分类号: TM85
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2008.04.016

摘要

根据现有物理学理论推导得出的闪络场强Et和闪络电压Vt的表达式显示,影响闪络场强和闪络电压的物理因素有:初始电子的出射状态(出射动能A o、出射角度0)、绝缘材料介电常数ε、绝缘体表面吸附气体分子脱附系数γ、绝缘长度L、绝缘体表面单位面积的脱附气体分子数M、脱附气体离开绝缘体表面的速率Vgas等等.利用MathCAD绘图软件绘制出Et和Vt随绝缘长度的变化趋势图证明,两曲线变化趋势及量级与所得实验结果一致.实验研究也证明,随着绝缘长度的增加,真空绝缘沿面闪络场强呈下降趋势;应用二次电子崩理论分析真空闪络的发生发展机理是合理的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志华		4	8	2.0	2.0
2	高巍		3	8	2.0	2.0