多晶硅薄膜晶体管Kink效应研究与建模

• 作者: 吴为敬 吴朝晖 姚若河 邓婉玲 郑学仁 陈荣盛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 Kink效应 建模
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 231-234
• 页数: 4页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 3260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.03.013

摘要

多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用.随着尺寸的不断缩小,P-si TFT 的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大.对发生Kink效应的物理机制、二雏数值仿真及其一维解析模型进行了分析,讨论了晶粒边界、沟道长度与Kink效应的关系,提出建立适合电路仿真的一维解析模型的关键与展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑学仁	华南理工大学微电子研究所	72	463	12.0	17.0
2	姚若河	华南理工大学微电子研究所	126	611	11.0	18.0
3	邓婉玲	华南理工大学微电子研究所	12	64	5.0	7.0
4	陈荣盛	华南理工大学微电子研究所	6	16	2.0	3.0
5	吴为敬	华南理工大学微电子研究所	24	74	4.0	7.0
6	吴朝晖	华南理工大学微电子研究所	24	40	3.0	5.0