高浓度臭氧在分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜中的应用

• 作者: 于晓明 孙霞光 张彩碚 张炳森 李茂林 祁阳
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 臭氧 浓缩装置 Bi系氧化物薄膜 分子束外延
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 647-651
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.984
• 字数: 2697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2008.06.002

摘要

利用硅胶吸附一解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膳的氧化源.在臭氧浓缩装置中,硅胶温度保持在-85℃左右,工作6 h,可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧,当臭氧浓缩装置中压强保持在1.3×103Pa,该臭氧浓度可维持5 h以上.X射线衍射结果表明,制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO,并以此为氧化源利用分子束外延在MgO(100)衬底上制备了较高质量的Bi2Sr2CuO6+x和Bi2Sr2CaCu2O8+x薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张彩碚	东北大学理学院材料物理与化学研究所	64	672	15.0	23.0
2	祁阳	东北大学理学院材料物理与化学研究所	45	91	5.0	8.0
6	李茂林	东北大学理学院材料物理与化学研究所	3	1	1.0	1.0
7	张炳森	东北大学理学院材料物理与化学研究所	2	1	1.0	1.0
8	于晓明	东北大学理学院材料物理与化学研究所	1	1	1.0	1.0
9	孙霞光	东北大学理学院材料物理与化学研究所	1	1	1.0	1.0