In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性

• 作者: 周文政 商丽燕 崔利杰 曾一平 李东临 林铁 褚君浩 郭少令 高宏玲 黄志明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二维电子气 散射时间 自洽计算
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2481-2485
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.079

摘要

研究了不同沟道厚度的In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关.