利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质

• 作者: 戴丽萍 李燕 毛飞燕 袁兆林 邓宏 陈金菊
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 化学气相沉积法 ZnO N薄膜 p型 迁移率 载流子浓度
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 623-626
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO∶N薄膜,采用XRD,霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析,研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响.结果表明,生长温度较低时,薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降,衬底温度为400℃时,载流子浓度达到+5.127×1017cm-3,电阻率为0.04706Ω·cm,迁移率为259 cm2/(V·s),并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性.当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金菊		36	309	11.0	16.0
2	邓宏		72	653	14.0	22.0
3	李燕		29	259	9.0	15.0
4	戴丽萍		16	54	5.0	6.0
5	袁兆林		6	16	3.0	4.0
6	毛飞燕		2	0	0.0	0.0