CMOS带隙基准源研究现状

• 作者: 幸新鹏 李冬梅 王志华
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 低电源电压 低功耗 高精度 高PSRR
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 57-63,71
• 页数: 8页
• 分类号: TN432
• 字数: 4027字
• 语种: 中文

摘要

带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流.简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理;指出了限制其性能的主要因素;分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李冬梅	清华大学电子工程系	81	611	13.0	21.0
2	王志华	清华大学微电子研究所	183	1964	21.0	36.0
3	幸新鹏	清华大学微电子研究所	4	131	3.0	4.0