用于紫外探测器的AlGaN/GaN异质结构的Ti/Al/Ni/Au欧姆接触特性

• 作者: 张军琴 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 欧姆接触 比接触电阻 传输线法 Ti/Al/Ni/Au 紫外探测器
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2187-2191
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.021

摘要

采用Ti/Al/Ni/Au多层金属体系在Al0.27Ga0.73N/GaN异质结构上制备了欧姆接触.分别采用线性传输线方法(LTLM)和圆形传输线方法(CTLM)对其电阻率进行了测试.当Ti(10nm)/Al(100nm)/Ni(40nm)/Au(100nm)金属体系在650℃高纯N2气氛中退火30s时,测量得到的最小比接触电阻率为1.46×10-5Ω·cm2.并制备了Al0.27Ga0.73N/GaN光导型紫外探测器,通过测试发现探测器的暗电流.电压曲线呈线性分布.实验结果表明在Al0.27 Ga0.73N/GaN异质结构上获得了好的欧姆接触,能够满足制备高性能AlGaN/GaN紫外探测器的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	25	131	7.0	10.0
3	李跃进	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	70	432	11.0	17.0
4	张军琴	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	8	36	4.0	6.0
5	柴常春	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	80	592	15.0	19.0