p-GaN与Ni/Pt欧姆接触的研究

• 作者: 丁嘉欣 张向锋 成彩晶
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: 欧姆接触 单位接触电阻 Ⅰ-Ⅴ曲线 变温测试 电流传输机制
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 1682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2008.03.004

摘要

本文对p-GaN与Ni/Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究.Ⅰ-Ⅴ变温测试曲线是线形的,表明Ni/Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触,是因为Ni/Pt与p-GaN接触在空气中退火时界面处的p-GaN空穴浓度增加了,从而降低了有效势垒高度.在148K～323K范围内,单位接触电阻Rc随测试温度T的升高趋于呈指数下降,表明Ni/Pt与p-GaN欧姆接触的电流传输机制遵循热电子发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张向锋	中国空空导弹研究院光电所	9	19	3.0	3.0
2	丁嘉欣	中国空空导弹研究院光电所	13	43	3.0	6.0
3	成彩晶	中国空空导弹研究院光电所	12	22	3.0	3.0