单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模

• 作者: 孙海定 江建军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 单电子隧穿 库仑阻塞 库仑台阶 蒙特卡罗 Hspice
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 198-204
• 页数: 7页
• 分类号: TN32|TN302
• 字数: 747字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.04.003

摘要

以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理.微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模.采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间.通过分.析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江建军	华中科技大学电子科学与技术系	105	993	18.0	25.0
2	孙海定	华中科技大学电子科学与技术系	2	1	1.0	1.0