DC/DC辐照损伤与VDMOS器件1/f噪声相关性研究

• 作者: 曹衎 王党会 王党朝 许天旱
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: DC/DC转换器 1/f噪声 可靠性 相关性
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 1057-1061
• 页数: 5页
• 分类号: TP211.51
• 字数: 3196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.12.003

摘要

通过对DC/DC转换器低频噪声测试技术以及在γ辐照前后电性能与1/f噪声特性变化的对比分析,发现使用低频噪声表征DC/DC转换器的可靠性是对传统电参数表征方法的一种有效补充.对DC/DC转换器辐照损伤与其内部VDMOS器件1/f噪声相关性进行了研究,讨论了引起DC/DC转换器辐照失效的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许天旱	西安石油大学材料科学与工程学院	46	89	5.0	6.0
2	王党会	西安石油大学材料科学与工程学院	39	70	5.0	6.0
3	王党朝	咸阳师范学院物理系	13	23	2.0	4.0
4	曹衎		1	0	0.0	0.0