非晶纳米晶带材巨磁阻抗磁传感器特性分析

• 作者: 余红雅 刘文洁 刘桂雄 曾德长 柴秀丽 钟喜春
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶纳米晶带材 巨磁阻抗效应 磁传感器
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 63-65
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 1160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2008.09.020

摘要

利用非晶纳米晶带材的巨磁阻抗(GMI)效应制备一种磁传感器,在输出最大值的特定频率下,研究与带材轴线平行和垂直方向磁场的输出特性.研究表明:在10.5 MHz附近的激励频率作用下,传感器输出取得最大值;传感器对平行磁场有一段高灵敏的线性工作区间,对垂直磁场不响应;纳米晶带材GMI磁传感器的灵敏度高达0.669 1 V/Oe,优于非晶带材制备器件的灵敏度0.1483 V/Oe.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾德长	华南理工大学机械工程学院	127	548	11.0	17.0
2	刘桂雄	华南理工大学机械工程学院	300	2016	18.0	33.0
3	钟喜春	华南理工大学机械工程学院	59	230	8.0	12.0
4	柴秀丽	华南理工大学机械工程学院	4	11	2.0	3.0
5	余红雅	华南理工大学机械工程学院	44	127	7.0	9.0
6	刘文洁	华南理工大学机械工程学院	6	7	1.0	2.0