脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO3薄膜及其微观结构研究

• 作者: 于伟东 吴峰 张亦文 李效民 赵俊亮 高相东
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积法 SrTiO3薄膜 缓冲层 结晶度
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 531-534
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.022

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上,生长不同In掺杂量的SrInxTi1-xO3(x=0、0.1、0.2)薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能,表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响.结果表明,In掺杂导致薄膜结晶度降低,通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度,增强薄膜的(200)择优取向性.然而随In掺杂量的增加,薄膜表面平均粗糙度增大;生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式;拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强,说明薄膜的晶体对称性降低.