碳纳米管复合阴极的稳定性研究

• 作者: 何伟 史永胜 朱长纯
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 复合阴极 稳定性
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 484-488
• 页数: 5页
• 分类号: TN27|O484
• 字数: 1977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.04.018

摘要

基于隧穿效应的双势垒模型,采用Sol-Gel法在ITO玻璃基底上制备了SiO2涂层碳纳米管阴极,利用SEM对阴极的形貌、结构进行分析,并对场发射性能、发射稳定性与发光特性进行研究,获得了发射电流高,稳定性良好的阴极.测试结果表明: SiO2质量分数为20%时阴极具有比较高的发射电流及较好的场发射稳定性能;阴极开启场为1.71 V/mm,在场强为2 V/mm时,发射电流密度为65 μA/cm2;发射电流在3 h内,波动小于3%.低成本丝网印刷制备的该阴极,适合于不同尺寸器件的冷阴极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史永胜	陕西科技大学电气与信息工程学院	69	433	9.0	18.0
3	朱长纯	西安交通大学电子与信息工程学院	215	2372	22.0	41.0
6	何伟	陕西科技大学电气与信息工程学院	5	7	2.0	2.0