Al掺杂ZnO薄膜的射频磁控溅射工艺与光电性能研究

• 作者: 刘心宇 周秀娟 成钧 江民红 王仲民
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: ZAO薄膜 射频磁控溅射 溅射时间 退火 光电性能
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: "2008第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会"论文专辑
• 页码范围: 215-218
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|T133I
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.054

摘要

用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响.采用X射线衍射(XRD)对ZAO薄膜的显微结构进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对ZAO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明:随溅射时间的增加,样品由非晶态向晶态转变,同时也出现(002)择优取向强弱的变化.退火提高了溅射时间较长的薄膜的结晶质量.溅射时间的增加使溅射态ZAO薄膜的光学带隙变窄,但退火处理则使光学禁带宽度增大.溅射时间的增加以及退火处理均使薄膜的透光率稍有下降,但所有ZAO薄膜的透光率均在90%.以上.薄膜的电阻率随溅射时间的增加先降低.后稍有回升.退火使薄膜的电阻率显著降低,当溅射时间为60min时退火后薄膜的电阻率达到最低值,为9.4 ×10-4Ω·cm,其方块电阻低至18.80Ωl/□.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘心宇	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	224	1450	18.0	23.0
5	江民红	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	50	214	8.0	11.0
9	王仲民	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	57	211	8.0	12.0
10	成钧	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	51	227	8.0	11.0
11	周秀娟	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	16	79	5.0	8.0