铟对GaN基激光器晶体质量的影响

• 作者: 廖辉 张国义 杨志坚 胡晓东
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 超晶格 X射线衍射 氮化镓 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 361-364
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2037字
• 语种: 中文

摘要

利用高分辨X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN基蓝紫半导体激光器中的n型AlGaN/GaN超晶格在铟背景下进行生长对器件的晶体质量的影响进行了研究分析.分别测量了(0002),(10-11),(10-12),(10-13),(10-14),(10-15)和(20-21)不同晶面的摇摆曲线.利用Williamson-Hall图对X射线衍射的试验结果进行了分析,进而研究了该器件中的线位错.分析表明,在铟背景下生长的n型AlGaN/GaN超晶格相对传统的AlGaN/GaN超晶格而言,可以大大降低GaN基蓝紫半导体激光器中的位错密度并获得较好的晶体质量.这一结论与利用原子力显微镜分析得到的结论完全一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义		4	31	3.0	4.0
2	廖辉		1	0	0.0	0.0
3	杨志坚		1	0	0.0	0.0
4	胡晓东		1	0	0.0	0.0