大马士革铜阻挡氮化硅薄膜沉积工艺优化研究

• 作者: 程秀兰 邱振宇
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 氮化硅 PECVD HDP-CVD 工艺优化
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 2608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.02.008

摘要

在铜大马士革(Damascene)工艺中,为避免由于铜向FSG中扩散所致电迁移的问题,需要在铜表面沉积一层氮化硅作为隔离铜和随后的介电材料的直接接触,通常人们使用HDP-CVD来沉积该氮化硅层.但针对HDP-CVD沉积速率快和工艺设备成本高等问题,文中研究了一种优化了的PECVD氮化硅沉积工艺来取代HDP-CVD氮化硅工艺.优化主要包含硬件改进和工艺参数调整.硬件改进主要通过引入锥形阴极盘面代替传统的直通形阴极盘面,以实现气体分子的更有效电离.在工艺参数上从RF功率、SiH4流量等方面也有所调整.优化后形成的氮化硅薄膜与HDP-CVD氮化硅薄膜性能非常接近,完全符合大马士革工艺的要求.同时氮化硅薄膜的沉积速率也有明显提高,工艺成本随之降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
2	邱振宇	上海交通大学微电子学院	11	22	3.0	4.0