GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化

• 作者: 张禹 张荣 符凯 谢自力 陈敦军 韩平
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 计算流体力学 蒙特卡洛 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 28-33
• 页数: 6页
• 分类号: O469|TN304.2|TQL33.5
• 字数: 3298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.006

摘要

根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposotion)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOcvD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟.结果表明,在950～1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,反应气体未能充分地分解,导致较低的生长速率;而温度高于1350 K则Ga组分的脱附现象开始变得严重,从而抑制GaN的生长速率.另一方面,较高的v/Ⅲ也会抑制GaN的生长速率.生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示,GsN薄膜在高温下(1073～1473 K)为2D层状生长,在1373 K的温度下生长的GaN薄膜表面最为平整.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张荣	南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室	134	576	13.0	17.0
2	陈敦军	南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室	17	44	3.0	5.0
3	韩平	南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室	22	92	6.0	9.0
4	谢自力	南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室	19	44	5.0	6.0
5	符凯	南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室	1	4	1.0	1.0
6	张禹	南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室	3	13	3.0	3.0