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磁控溅射制备纳米TiO2半导体薄膜的工艺研究与晶型分析
磁控溅射制备纳米TiO2半导体薄膜的工艺研究与晶型分析
作者:
刘亚丽
叶勤
吴奎
胡毅
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
射频反应磁控溅射
纳米二氧化钛薄膜
锐钛矿
退火
氩氧比
摘要:
通过射频反应磁控溅射在玻璃基片上制备TiO2薄膜.采用X射线衍射仪、Ranman光谱仪和原子力显微镜研究退火温度对薄膜晶体结构和表面形貌的影响;还探讨了磁控溅射氧分压对薄膜性能的影响.结果表明:磁控溅射制备的薄膜在不同温度下退火,发现300℃退火薄膜没有结晶,薄膜表面呈圆形离散的颗粒状;400℃退火出现锐钛矿结构,是连续的致密均匀薄膜;500℃退火后薄膜锐钛矿结构更完善,(101)方向开始优先生长,空隙率变大,且锐钛矿结构更完整.随着退火温度的升高晶粒长大拉曼光谱出现红移,拉曼光谱所反应的锐钛矿信息增强,500℃退火时197 cm-1,出现了Eg振动模式.和标准的单晶TiO2体材料相比,拉曼峰位置都略有红移是纳米量子尺寸效应造成的.氩氧比分别为9:1、7:3和6:4溅射制备的薄膜通过400℃退火后的XRD衍射谱没有明显的区别,但拉曼光谱显示氩氧比为7:3时结晶要完善些.
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文献信息
篇名
磁控溅射制备纳米TiO2半导体薄膜的工艺研究与晶型分析
来源期刊
真空
学科
物理学
关键词
射频反应磁控溅射
纳米二氧化钛薄膜
锐钛矿
退火
氩氧比
年,卷(期)
2008,(5)
所属期刊栏目
薄膜
研究方向
页码范围
38-41
页数
4页
分类号
O484
字数
2539字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
叶勤
暨南大学物理系
37
351
11.0
16.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
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纳米二氧化钛薄膜
锐钛矿
退火
氩氧比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空
主办单位:
中国机械工业集团公司沈阳真空技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1002-0322
CN:
21-1174/TB
开本:
大16开
出版地:
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
邮发代号:
8-30
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
2692
总下载数(次)
3
总被引数(次)
12898
相关基金
广东省自然科学基金
英文译名:
Guangdong Natural Science Foundation
官方网址:
http://gdsf.gdstc.gov.cn/
项目类型:
研究团队
学科类型:
期刊文献
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