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摘要:
文章设计了一种工作在亚阈值状态下的CMOS电压基准源,分析了MOSFET工作在亚阈区的电压和电流限定条件.电压基准源可提供与工艺基本无关近似零温度系数的基准电压.为了提高电路的电源抑制比,该电路采用了共源共栅电流镜结构.该结构采用了一种新型的偏置电路,使得电流镜各级联管均工作在饱和区边缘而不脱离饱和区,提高输出电压摆幅,得到有较高恒流特性的基准电流.该电路采用0.6 μm CMOS工艺,通过Spectra仿真,可工作在2V电压下,输出基准电压1.4V,温度系数为17×10-6(V/℃).
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一种新型的CMOS亚阈值低功耗基准电压源
CMOS
亚阈值
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亚阈值
CMOS
一种高精度自偏置带隙基准电压源的设计
带隙基准
共源共栅
温度系数
电源抑制
一种CMOS带隙基准电压源设计
CMOS
带隙基准
低温度系数
电源抑制比
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种新型偏置电路的CMOS亚阈型电压基准源
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 电压基准源 亚阈区 共源共栅偏置
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 电路设计
研究方向 页码范围 25-28
页数 4页 分类号 TN402
字数 2467字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.01.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 常昌远 东南大学集成电路学院 50 471 14.0 19.0
2 蔡立达 东南大学集成电路学院 1 5 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
电压基准源
亚阈区
共源共栅偏置
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
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24
总被引数(次)
9543
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