直流电渗流在微通道内的控制与仿真研究

• 作者: 姜洪源 杨胡坤 王扬
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 双电层 zeta电势 微流控 电渗流 仿真研究
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术
• 页码范围: 166-169
• 页数: 4页
• 分类号: O351.2
• 字数: 1713字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.03.009

摘要

双电层是电渗流形成的关键因素,通过分析双电层的产生过程,解释了电渗流的形成机制.探讨了与直流电渗流形成相关的Poisson-Boltzmann 方程、Laplace方程及Navier-Stokes三个基本控制方程,并建立了与之相关的数学模型.通过对各控制方程边界条件的分析及合理简化,分别对zeta电势、外加垂直电场电势进行了求解和仿真,并且对zeta电势、外加垂直电场电势进行耦合求解,得到了直流电渗流在微通道内的流速表达式,并分析了微流体的特性参数、zeta电势、外加垂直电场电势对电渗流流速的影响,结果显示通过增加zeta电势可以有效降低微通道两端施加的垂直电场电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜洪源	哈尔滨工业大学机电工程学院	132	1439	20.0	26.0
2	杨胡坤	哈尔滨工业大学机电工程学院	9	62	5.0	7.0
3	王扬	哈尔滨工业大学机电工程学院	110	956	19.0	24.0