ADS下CMOS低噪声放大器的设计优化

• 作者: 李富华 魏玉香
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: CMOS 共源共栅 低噪声放大器 噪声匹配 输入阻抗匹配
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 176-178
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.03.062

摘要

运用仿真工具ADS,通过对CMOS共源共栅低噪声放大器的共源级栅宽,源级电感以及栅极电感值的扫描仿真,以Smith阻抗圆图的形式给出了一个直观的LNA设计优化流程,近似实现了最佳噪声源阻抗和输入阻抗的同时匹配.按照该方法设计的基于0.18 μm CMOS工艺,工作在1.58 GHz的低噪声放大器,其噪声系数为1.3 dB,S11为-28.4 dB,功耗为3.42 mW,从而很好地证实了该方法的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李富华	苏州大学电子信息学院	27	138	7.0	10.0
2	魏玉香	苏州大学电子信息学院	1	11	1.0	1.0