半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究

• 作者: 刘彩池 刘红艳 孙卫忠 王娜 郝秋艳
• 来源期刊: 现代仪器与医疗
• 关键词: 半绝缘砷化镓 热处理 砷沉淀 光学显微技术
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7916.2008.03.012

摘要

本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)中本征缺陷的影响.实验结果表明,晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布.500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响;真空条件下,在850～930℃范围内热处理AB腐蚀坑变浅,砷沉淀数量增加;真空条件下,高于1100℃热处理后,砷沉淀几乎消失.晶体中砷沉淀的密度会随热处理条件的不同而变化,本文对其机理进行探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙卫忠	河北工业大学信息功能材料研究所	15	133	3.0	11.0
2	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
3	郝秋艳	河北工业大学信息功能材料研究所	37	179	9.0	12.0
4	王娜	河北工业大学信息功能材料研究所	22	125	6.0	10.0
5	刘红艳	河北工业大学信息功能材料研究所	3	4	1.0	2.0