高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究

• 作者: 吕洪涛 张铮栋 程东方
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 闩锁效应 多子保护环 高阻衬底
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 517-519
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1538字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.06.016

摘要

研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果.对于确定的设计规则.还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应,仿真结果验证了正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程东方	上海大学微电子研发中心新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	18	112	6.0	10.0
2	吕洪涛	上海大学微电子研发中心新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
3	张铮栋	上海大学微电子研发中心新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0