SOI MOSFET 抗辐射加固的常用方法与新结构

• 作者: 何玉娟 刘洁 师谦 恩云飞 罗宏伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 总剂量效应 FLEXFET G4-FET
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 223-226
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.03.011

摘要

SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计.对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向.并对FLEXFET和G4-FET三维SOI器件抗辐射加固新结构进行了阐述,分析了其优越性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何玉娟		9	51	4.0	7.0
2	罗宏伟		12	65	5.0	7.0
3	恩云飞		12	57	5.0	7.0
4	刘洁		1	15	1.0	1.0
5	师谦		11	64	5.0	8.0